温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种闪速存储器件及其操作方法，该闪速存储器件包括ＮＡＮＤ单元单位的块，块中的每个ＮＡＮＤ单元单位包括由ｎ个字线控制的ｎ个存储器单元晶体管ＭＣ，并且串联连接在与位线连接的串选择晶体管ＳＳＴ和接地选择晶体管ＧＳＴ之间。在向所选择的字...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。