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本发明提供一种具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺；本申请提出的具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件通过在分离栅沟槽MOS器件中实现triple resurf结构，在相同耐压下大大降低了器件的比导通电阻，降低了器件...
该专利属于江苏应能微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏应能微电子股份有限公司授权不得商用。

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