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本实用新型提供一种半导体封装和半导体结构，半导体结构包括基板和形成在基板中的深沟槽电容器区域。深沟槽电容器区域包括多个深沟槽电容器单元，并且每个深沟槽电容器单元包括从基板的顶表面向下延伸的沟槽、设置在沟槽中的第一导电层、设置在沟槽中的第二导...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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