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本发明实施例公开一种半导体器件、光器件及半导体结构的制造方法，其中所述制造方法包括：在衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的功能层和牺牲层，所述功能层和所述牺牲层由相同材料构成，所述牺牲层掺杂有n型或p型杂质，且所述牺牲层的掺杂浓度...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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