温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：沟槽，其形成在衬底中；栅电介质层，其覆盖沟槽的侧壁和底表面；第一栅电极，其间隙填充在栅电介质层之上的沟槽的底部；第二栅电极，其在第一栅电极之上包括与第一栅电极相同的金属氮化物，并掺杂...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。