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公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一有源图案，包括第一下图案和多个第一片状图案；多个第一栅极结构，在第一下图案上；第二有源图案，包括第二下图案和多个第二片状图案；多个第二栅极结构，在第二下图案上；第一源极/漏极凹槽，在邻近的第一栅...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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