温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开的各种实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括半导体衬底(SUB)上的绝缘层(IFL)、该绝缘层(IFL)上的导电膜(PL)、覆盖该导电膜(PL)的层间绝缘膜(IL)、该层间绝缘膜(IL)、该导电膜(PL)和该绝缘层...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。