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本申请实施例提供用于射频LDMOS器件的测试结构和晶圆，该测试结构的外延层位于衬底之上，外延层中设有漂移区；栅极介质层位于外延层之上；栅位于栅氧化层之上；法拉第环结构部分覆盖栅，场板结构覆盖漂移区并与法拉第环结构连接为Z字型一体结构；介质层...
该专利属于北京燕东微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子科技有限公司授权不得商用。

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