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本实用新型提供一种晶圆，涉及半导体加工技术领域，解决晶圆边缘金属脱落的问题。该晶圆包括：衬底，以及位于衬底上的多层层间介质层，相邻层间介质层之间设有金属布线层，且相邻金属布线层之间通过位于层间介质层中的金属插塞实现电连接，其中，最顶层的层间...
该专利属于北京燕东微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子科技有限公司授权不得商用。

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