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本申请提供一种闪存器件及其形成方法，所述闪存器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有栅氧层、栅极层和硬掩膜层；第一沟槽，贯穿所述硬掩膜层、所述栅极层、所述栅氧层且延伸至所述半导体衬底中，其中，所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处呈圆...
该专利属于中芯北方集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯北方集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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