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本公开提供了一种半导体结构的制备方法，该半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供具有接触孔的衬底；在接触孔中制备多晶硅层，多晶硅层中具有孔隙；在多晶硅层上制备刻蚀缓冲层，且刻蚀缓冲层中具有位于孔隙上方的第一凹槽，自上至下第一凹槽逐渐收缩，自上...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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