下载半导体结构及其制备方法的技术资料

文档序号:38633218

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。提供基底,所述基底上开设有暴露出有源区的接触孔;于接触孔中填充形成第一导电材料层;去除位于接触孔侧壁的部分第一导电材料层,得到接触结构及环绕接触结构的间隙,接触结构的底部尺寸小于接触孔的底部尺寸;...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。