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半导体结构及其制备方法技术
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文档序号:38633218
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本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。提供基底,所述基底上开设有暴露出有源区的接触孔;于接触孔中填充形成第一导电材料层;去除位于接触孔侧壁的部分第一导电材料层,得到接触结构及环绕接触结构的间隙,接触结构的底部尺寸小于接触孔的底部尺寸;...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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