温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种半导体器件结构及制备方法，晶体管位于外围电路区域，晶体管包括源极和漏极；字线沟槽位于衬底内，字线沟槽贯穿衬底的相邻接的第一区域及第二区域；埋入式栅极字线位于字线沟槽中；埋入式栅极字线包括依次层叠的第一导电层和第二导电层，位于...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。