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一种半导体存储器件，包括：衬底；以及电容器结构，所述电容器结构位于所述衬底上，并且包括下电极、电容器电介质层和上电极。其中，所述电容器电介质层包括：下界面层，所述下界面层位于所述下电极上并且掺杂有第一导电类型的杂质；上界面层，所述上界面层在...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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