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本发明公开了一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件及方法，包括金属层、相变材料GST介质层和衬底层；所述金属层设置有超构表面基元，所述超构表面基元呈周期性阵列结构分布在衬底层上，所述相变材料GST介质层设置在衬底层中的第一衬底层和第二...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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