一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件及方法技术

本发明专利技术公开了一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件及方法，包括金属层、相变材料GST介质层和衬底层；所述金属层设置有超构表面基元，所述超构表面基元呈周期性阵列结构分布在衬底层上，所述相变材料GST介质层设置在衬底层中的第一衬底层和第二衬底层之间。本发明专利技术结构设计简单，易于器件整体简单化和小型化，实现了波束调控器件的大宽带和简单化，且中红外发射率调控性能极佳。中红外发射率调控性能极佳。中红外发射率调控性能极佳。

【技术实现步骤摘要】
一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件及方法


[0001]本专利技术属于热光伏
，尤其是一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件及方法。

技术介绍

[0002]人工电磁超构材料是通过人为的设计微纳结构的几何构型和排布方式来实现对特定频段的电磁波波前的任意调控，通过合理设计超构表面的基元结构，可以实现许多自然界材料无法实现的现象。用人工微结构调控波束传播已经引起众多研究学者的关注。超构表面仅仅通过亚波长尺寸厚度的单元结构可以实现波前幅值和相位的任意调控。超构表面为精准调控电磁波带来了全新的自由度，其在偏振转换、全息成像等方面具有广泛的应用价值。然而，结构的几何构型和尺寸直接决定了材料的特征响应频点，一旦制备成型之后材料的工作频点也随之固定，这大大的阻碍了人工电磁材料在光电器件领域的发展。
[0003]随着更多新兴应用的出现，例如变化环境中的动态热伪装、温度自适应辐射制冷以及航天器智能热控等，传统的静态红外发射率工程已经不能满足需求，发射率动态调制成为研究热点。红外发射率动态调制涂层是指在外场(如热、光、电等)刺激下，红外发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件，其特征在于，包括金属层(1)、相变材料GST介质层(3)和衬底层；所述金属层(1)设置有超构表面基元，所述超构表面基元呈周期性阵列结构分布在衬底层上，所述相变材料GST介质层(3)设置在衬底层中的第一衬底层(2)和第二衬底层(4)之间。2.根据权利要求1所述的一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件，其特征在于，所述超构表面基元为由高纯金制成的工字型微纳结构。3.根据权利要求1所述的一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件，其特征在于，所述超构表面基元设置在第一衬底层(2)上。4.根据权利要求1所述的一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件，其特征在于，所述第一衬底层(2)和第二衬底层(4)均为二氧化硅衬底层。5.根据权利要求1所述的一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件，其特征在于，所述相变材料GST介质层(3)中的相变材料为Ge3Sb2Te6或Ge2Sb2Te5。6.根据权利要求1所述的一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件，其特征在于，所述相变材料GST介质层(3)中相变材料在不同相态时折射率不同。7.一种权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张富利，陈松楠，杨蕤生，樊元成，付全红，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：