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本发明提供了一种半导体器件及其三维堆叠制造方法。本发明的半导体器件的三维堆叠制造方法，包括如下步骤：S1：在第一衬底上制作多个通孔，在每一通孔的侧壁生长绝缘层；S2：将第一衬底背面减薄至通孔露出，在第一衬底背面生长绝缘层；S3：制作第二衬底...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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