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提供一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；体凹陷部，该体凹陷部形成在衬底中；体电介质层，该体电介质层形成在体凹陷部之上；有源层，该有源层在衬底之上沿平行于衬底的方向延伸；接触节点，该接触节点竖向地形成在有源层的一侧...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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