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本发明公开了一种垂直型功率器件及其制备方法。该功率器件包括漏极；第一缓冲层，位于所述漏极上；补丁层，位于所述第一缓冲层上，用于降低外延孔洞产生的电子泄露；第二缓冲层，位于所述补丁层上；沟道层，位于所述第二缓冲层上；势垒层，位于所述沟道层上；...
该专利属于苏州汉骅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州汉骅半导体有限公司授权不得商用。

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