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一种半导体器件，包括：外围电路结构，包括衬底、在衬底上的电路元件、电连接到电路元件的连接图案及在电路元件上的外围绝缘结构；存储单元结构，在外围电路结构上，包括彼此交替堆叠的层间绝缘层和栅电极、上布线；以及贯通接触插塞，将上布线电连接到上连接...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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