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本发明公开了一种利用波长为１０６４ｎｍ和５３２ｎｍ两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤１：将硅片置于硫系物质环境中；步骤２：利用经过透镜聚焦的波长为１０６４ｎｍ和５３２ｎｍ的两种激光器光源，先后扫描辐照硅片表面，形成包含硅...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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