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提供了用于闪存控制的方法、闪存装置和电子设备。所述方法包括：在调整第一编程时间和编程电压的同时，对单元阵列的目标存储器单元执行第一编程；当目标存储器单元的单元电流被确定为满足与第一编程相关联的主要目标时，在调整第二编程时间的同时对目标存储器...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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