【技术实现步骤摘要】
用于闪存控制的方法、闪存装置和电子设备
[0001]本申请要求于2022年1月25日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0010736号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的全部公开出于所有目的通过引用包含于此。
[0002]以下描述涉及用于闪存控制的方法和设备。
技术介绍
[0003]闪存是一种在不需要电力的情况下保持存储的数据的非易失性存储器。闪存可通过调整存在于存储器单元的电荷捕获层中的电子的数量来存储数据。存储器单元可以是单层单元(SLC)、多层单元(MLC)或三层单元(TLC)，这对应于可存储数据的量。
[0004]矩阵
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向量乘法运算或乘积累加(MAC)运算的速度可能影响各种领域中的应用的性能。例如，可执行MAC运算，以用于机器学习和用于包括多个层的神经网络的认证。MAC运算针对多个层而被迭代，并且因此，神经网络处理的性能可取决于MAC运算处理的性能。闪存的结构特征可用于执行MAC运算，并且当闪存的性能提高时，MAC运算的速度可显著提高。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于闪存控制的方法，包括：在调整第一编程时间和编程电压的同时，对单元阵列的目标存储器单元执行第一编程；当目标存储器单元的单元电流被确定为满足与第一编程相关联的主要目标时，在调整第二编程时间的同时对目标存储器单元执行第二编程；以及当目标存储器单元的单元电流被确定为满足与第二编程相关联的次要目标时，终止对目标存储器单元的编程。2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行第一编程的步骤包括：当在第一编程时间已经达到阈值时目标存储器单元的单元电流被确定为不满足主要目标时，在增大编程电压的同时执行第一编程。3.根据权利要求1所述的方法，其中，目标存储器单元的单元电流在调整编程电压时比在调整第一编程时间时变化更大。4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行第一编程的步骤包括：基于第一编程确定目标存储器单元的单元电流的变化；当所述单元电流的变化被确定为大于主要目标范围的上限时，减小第一编程时间；以及当所述单元电流的变化被确定为小于主要目标范围的下限时，增大第一编程时间或编程电压。5.根据权利要求4所述的方法，其中，增大第一编程时间或编程电压的步骤包括：当第一编程时间被确定为对应于最大值时，增大编程电压。6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行第二编程的步骤包括：基于第一编程和第二编程来确定目标存储器单元的单元电流的变化；当所述单元电流的变化被确定为大于次要目标范围的上限时，减小第二编程时间；以及当所述单元电流的变化被确定为小于次要目标范围的下限时，增大第二编程时间。7.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的方法，其中，主要目标的范围大于次要目标的范围。8.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的方法，其中，基于神经网络模型的网络参数来设置主要目标和次要目标的至少一部分，以及使用目标存储器单元执行神经网络模型的网络操作。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述网络操作包括乘积累加运算。10.一种闪存装置，所述闪存装置包括：单元阵列，包括多个存储器单元；以及控制器，被配置为：在调整第一编程时间和编程电压的同时，对单元阵列的目标存储器
单元执行第一编程，其中，当目标存储器单元的单元电流被确定为满足与第一编程相关联的主要目标时，控制器在调整第二编程时间的同时对目标存储器单元执行第二编程，并且当目标存储器单元的单元电流被确定为满足与第二编程相关联的次要目标时，终止对目标存储器单元的编程。11.根据权利要求10所述的闪存装置，其中，控制器还被配置为：当目标存储器单元的单元电流被确定为不满足主要目标并且第一编程时间被确定为已达到最大值时，在增大编程电压的同时执行第一编程。12.根据权利要求10所述的闪存装置，其中，当调整编程电压时而不是当调整第一编程时间时，目标存储器单元的单元电流变化更大。13.根据权利要求10所述的闪存装置，其中，控制器被配置为：基于第一编程确定目标存储器单元的单元电流的变化，当所述单元电流的变化被确定为大于主要目标范围的上限时，减小第一编程时间，并且当所述单元电流的变化被确定为小于主要目标范...
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