温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于二维材料存储时长可调的浮栅存储器及其制备工艺，包括：P型掺杂硅衬底；氧化硅阻挡层，固定于P型掺杂硅衬底；若干组刻蚀所得石墨烯层，呈特定密度生长固定于氧化硅阻挡层；氧化铝种子层，对应蒸镀固定于若干组刻蚀所得石墨烯层；氧化铪...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。