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本申请实施例提供了一种LDMOS器件包括：N型衬底；源区和漏区；源区和漏区的排列方向为LDMOS器件的长度方向，漏区的长度延伸方向为LDMOS器件的宽度方向；体区，形成在源区之下；漂移区，形成在体区和所述漏区之间；漂移区沿LDMOS器件的宽...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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