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公开了一种三维半导体存储器装置、包括其的电子系统及其制造方法。半导体存储器装置可包括：堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的电极层和电极层间绝缘层；竖直半导体图案，其穿过堆叠结构，并且布置为邻近于衬底；以及栅极绝缘层，其在竖直半导体图案与堆叠...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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