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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括位于边缘的非完整芯片区和被所述非完整芯片区包围的完整芯片区；在所述晶圆上形成光刻胶；采用不同能量的光束分别辐射所述非完整芯片区和所述完整芯片区上的光刻胶；...
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