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本发明公开了一种N型埋沟碳化硅LDMOS器件及其制作方法。所述N型埋沟碳化硅LDMOS器件，包括外延层，所述外延层内形成有体区和漂移区，所述漂移区内形成有漏极接触区，体区内形成有源区注入区、源极接触区、沟道区和埋层，埋层位于栅下区域的沟道区...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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