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在实施例中，一种器件包括：介电层，位于半导体衬底的有源表面上方；导电通孔，位于介电层中，该导电通孔包括具有非均匀晶粒取向的第一铜层；以及接合焊盘，位于导电通孔上方和介电层中，接合焊盘包括具有均匀晶粒取向的第二铜层，接合焊盘的顶面与介电层的顶...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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