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大面积的非晶态ＧａＡｓ薄膜已经由简单和廉价磁控溅射技术制备出来了，并且非晶态ＧａＡｓ薄膜具有半导体特性，但是非晶ＧａＡｓ薄膜中存在组分偏析所引入大量的结构缺陷，阻碍非晶ＧａＡｓ材料应用于光电子器件。我们发明的目的在于提供一种化学计量比非晶Ｇ...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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