一种制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法技术

大面积的非晶态ＧａＡｓ薄膜已经由简单和廉价磁控溅射技术制备出来了，并且非晶态ＧａＡｓ薄膜具有半导体特性，但是非晶ＧａＡｓ薄膜中存在组分偏析所引入大量的结构缺陷，阻碍非晶ＧａＡｓ材料应用于光电子器件。我们发明专利技术的目的在于提供一种化学计量比非晶ＧａＡｓ薄膜的溅射制备方法，在保证非晶ＧａＡｓ薄膜的完全无序结构前提下，防止组分偏析，提高非晶ＧａＡｓ薄膜的光电性能和表面形貌，这为研制短波红外探测器、太阳能电池以及其他非晶态光电子器件奠定基础。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料
，属于半导体光电子新型材料的磁控溅射制备领域。技术背景单晶GaAs的禁带宽度为1.4 eV，并且吸收系数很高，可作为高效率的太阳能电池。为降 低成本，提出采用非晶态GaAs (a-GaAs)用于太阳能电池。大面积的fl-GaAs已经由简单和廉 价的溅射方法制备出来，并且开展了非晶GaAs薄膜变温溅射实验。1984年，Alimoussa等报道， 在玻璃上沉积"-GaAs，衬底最高温度为350。C，自偏压为800V， Ar压强为6.7Pa，耙基距为3 Omm。在衬底温度为290。C时获得符合化学计量比的fl-GaAs。 1995年，Reuter等采用磁控溅射 制备非晶GaAs薄膜时，衬底温度为200。C，获得非晶结构薄膜。同年，Jean-Luc Seguin等指出 利用磁控溅射技术制备fl-GaAs薄膜，衬底温度最高可达到600。C，只要此时自偏压足够的低。由于非晶GaAs薄膜中存在组分偏析所引入大量的结构缺陷，阻碍了非晶GaAs材料应用于 光电子器件。我们的专利技术围绕减少非晶GaAs薄膜的缺陷，开展化学计量比非晶GaAs薄膜的制 备，这将推动非晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备化学计量比非晶ＧａＡｓ薄膜材料的方法，包括中温溅射制备和制备后热退火工艺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：么艳平，乔忠良，薄报学，高欣，陈甫，魏永平，李梅，王玉霞，芦鹏，李辉，曲轶，刘国军，李占国，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：82[]