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本发明涉及一种制造半导体激光器芯片绝缘膜层的技术，该技术属于半导体发光器件的介质膜制造领域。传统制造绝缘膜层的技术应用热蒸发、溅射或各种ＣＶＤ技术，在器件外延片表面沉积ＳｉＯ↓［２］或Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］薄层作为绝缘膜，这些传统技术及其所...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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