【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体激光器芯片绝缘层的技术，属于半导体器件制造
， 特别指半导体光电子器件的介质膜制造领域。本专利技术还涉及一种应用脉冲阳极氧化工艺制作绝缘层的半导体激光器芯片，专门应用在 无制冷设备长期稳定运转的光纤通讯设备中，属于半导体发光器件领域。
技术介绍
在边发射半导体激光器制造工艺中，制作欧姆接触金属层之前，需要在激光器芯片材料 的P面上除电流注入区之外的表面区域制作一层绝缘介质膜层，从而形成电流的注入通道。在 传统工艺中，这一介质膜可由Si02膜或Si3N4膜组成。2005年2月出版的《光纤通信用光电子器 件制作工艺基础》的第6章6.2.3中介绍了Si02膜和Si3N4膜的制备方法，对于Si02膜，介绍了热 生长法，CVD法，溅射法应用CVD和溅射法；对于Si3N4膜，介绍了溅射法和CVD法。
技术实现思路
使用Si02或Si3N4制作边发射半导体激光器的绝缘膜层，膜层生成工艺及膜层本身都会为样品带来损伤。在使用等离子CVD的情况下，因为Si02或Si3N4会和AlGaAs上限制层中的Al 反应，其结果为Si原子取代原来样品中的Al原子从...
【技术保护点】
一种制作半导体发光器件绝缘层的工艺，称脉冲阳极氧化工艺（英文缩写为ＰＡＯ）。该工艺包括：（１）、使用脉冲阳极氧化的方法，在制作边发射半导体激光器时，将Ｐ型包层靠近表面的一部分均匀转化为致密的氧化物薄层，该薄层作为激光器芯片的绝缘层。（２）、该工艺应用在整个半导体激光器芯片制作工艺流程中的位置为：光刻工艺与剥离光刻胶工艺之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓昀，高欣，李辉，李梅，李占国，刘国军，芦鹏，乔忠良，曲轶，王晓华，王玉霞，张晶，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]
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