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本发明提供一种中高压MOS器件及其版图结构和制造方法。本发明的MOS器件的版图结构包括衬底中的第一阱区，和第一阱区中的欧姆接触区；阱区中的第一漂移区和第二漂移区，以及第一漂移区中的源极区和第二漂移区中的漏极区；第一阱区上方包括栅极绝缘层所在...
该专利属于北京燕东微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子科技有限公司授权不得商用。

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