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本发明公开一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以在抑制环栅晶体管的寄生沟道漏电的情况下，提升环栅晶体管的工作性能，降低环栅晶体管的制造难度。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构和栅堆叠结构。有源结构包括源区、漏区、以及位于源...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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