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本揭露提供一种半导体晶粒。该半导体晶粒包括：一硅基板；一接合层，其形成于该硅基板的一背侧处且包括一第一金属衬垫；一多层互连(MLI)结构，其形成于该硅基板的一前侧处；一第一直通硅通道(TSV)，其在一垂直方向上穿透该硅基板及该MLI结构的至...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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