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提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：底电极，位于基底上；支撑图案，位于底电极与相邻底电极之间；顶电极，覆盖底电极和支撑图案；以及介电层，位于底电极与顶电极之间，并且位于支撑图案与顶电极之间。底电极可以包括包含缝隙的第一部分和位于第一部...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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