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本发明提供一种SOI衬底、SOI衬底的制备方法及SOI器件，该SOI衬底包括：基底、第二埋氧层、中间层、功能介质层及顶层半导体层，其中，基底包括支撑衬底及第一埋氧层；第二埋氧层位于基底上方，且第二埋氧层中包括至少一个自第二埋氧层的底面开口并...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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