SOI衬底、SOI衬底的制备方法及SOI器件技术

本发明专利技术提供一种SOI衬底、SOI衬底的制备方法及SOI器件，该SOI衬底包括：基底、第二埋氧层、中间层、功能介质层及顶层半导体层，其中，基底包括支撑衬底及第一埋氧层；第二埋氧层位于基底上方，且第二埋氧层中包括至少一个自第二埋氧层的底面开口并贯穿第二埋氧层的凹槽；中间层位于第一埋氧层与第二埋氧层之间，且位于凹槽中的中间层部分作为凸起结构；功能介质层至少覆盖凸起结构的顶面；顶层半导体层覆盖第二埋氧层及功能介质层的显露表面。本发明专利技术通过凸起结构以及位于凸起结构及顶层半导体层之间的功能介质层的设置，在利用SOI衬底形成器件时，减小了器件的寄生电容及漏电流，同时可以降低制作衬底的工艺难度。可以降低制作衬底的工艺难度。可以降低制作衬底的工艺难度。

【技术实现步骤摘要】
SOI衬底、SOI衬底的制备方法及SOI器件


[0001]本专利技术涉及半导体器件领域，特别是涉及一种SOI衬底、SOI衬底的制备方法及SOI器件。

技术介绍

[0002]全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)的器件的阈值电压普遍采用背栅偏压调节的技术，施加偏压后器件的工作状态可灵活调整，使其满足低功耗/高性能等不同场景下的应用需求，如图1所示，为FDSOI的结构示意图，由于FDSOI的埋氧层(BOX)层较薄，一般在20nm左右，氧化层在高温键合工艺中的可塑性降低，超薄的BOX对衬底的制备工艺造成了较大挑战，使制作衬底的成本提高；如图2及图3所示，分别为绝缘体上硅(SOI)器件的一种结构示意图及SOI器件的另一种结构示意图，包括支撑衬底01、埋氧层02、顶层半导体层03、N型阱011、P型阱012、P型掺杂区031、N型掺杂区032、顶栅04、栅介质层05、隔离结构06、沟道07及侧墙08，目前，尽管FDSOI的埋氧层已经减薄至20nm，但其仍是一个比较厚的背栅栅介质，不利于背栅极调控，并导致器件的寄生电容相对较大，且采用现有的FDSOI衬底制备工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SOI衬底，其特征在于，包括：基底，包括支撑衬底及位于所述支撑衬底上方的第一埋氧层；第二埋氧层，位于所述基底上方，且所述第二埋氧层中包括至少一个自所述第二埋氧层的底面开口并贯穿所述第二埋氧层的凹槽；中间层，位于所述第一埋氧层与所述第二埋氧层之间，且位于所述凹槽中的所述中间层部分作为凸起结构；功能介质层，至少覆盖所述凸起结构的顶面；顶层半导体层，覆盖所述第二埋氧层及所述功能介质层的显露表面。2.根据权利要求1所述的SOI衬底，其特征在于：所述功能介质层的上表面不低于所述顶层半导体层的下表面。3.根据权利要求1所述的SOI衬底，其特征在于：所述凸起结构的截面形状包括单阶层形、双阶层形、多阶层形中的至少一种。4.根据权利要求1所述的SOI衬底，其特征在于：所述中间层中还包括底部导电层，所述底部导电层位于所述第一埋氧层的上方，且所述凸起结构位于所述底部导电层的上表面，所述第二埋氧层位于所述底部导电层的上方。5.根据权利要求4所述的SOI衬底，其特征在于：所述中间层中还设置有覆盖所述底部导电层底面的第三埋氧层，所述第三埋氧层覆盖所述第一埋氧层的上表面。6.根据权利要求1所述的SOI衬底，其特征在于：所述功能介质层覆盖所述中间层的显露表面。7.根据权利要求1所述的SOI衬底，其特征在于：所述基底中还设置有高阻层，所述高阻层位于所述第一埋氧层及所述支撑衬底之间。8.一种SOI衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体层，于所述半导体层上表面形成绝缘材料层；于所述绝缘材料层中形成至少一个底面显露出所述半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘强，俞文杰，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：