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本公开涉及用于高压操作的GAA LDMOS结构。横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)型的栅极全环绕(GAA)高压晶体管具有设置为低于半导体衬底的表面的环形栅极电极。该环形栅极电极围绕由第一源极/漏极区域、主体区域和扩散区域形成的竖直沟道...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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