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本发明提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：堆叠结构、通道柱、第一导体柱和第二导体柱以及电荷存储结构。堆叠结构位于介电基底上，其中所述堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。通道柱，延伸穿过所述堆叠结构。第一导体柱和第二导体柱，...
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