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半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:38202571
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本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:基底,包括依次层叠的衬底、第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层的晶格常数大于第二半导体层的晶格常数;位于NMOS区的第一栅极和位于PMOS区的第二栅极;第一源漏...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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