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本公开涉及腔体形成方法。本说明书涉及一种在衬底中形成腔体的方法，包括：形成蚀刻掩模，蚀刻掩模包括与腔体的位置相对的多组开口，每组的开口和掩模之间的比率根据与其中刻有该组的掩模的表面相对的腔体的期望轮廓来选择；以及通过所述开口湿蚀刻衬底。以及...
该专利属于意法半导体(图尔)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(图尔)公司授权不得商用。

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