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本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括步骤：1)提供一半导体结构；2)在半导体结构上形成底部势垒层；3)在底部势垒层上形成顶部势垒层，顶部势垒层形成有栅极槽，栅极槽显露底部势垒层的顶面；4)在栅极槽中形成栅极结构。本发明通过底部势垒层保护...
该专利属于东莞市中器集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中器集成电路有限公司授权不得商用。

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