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本文描述的实施例总体涉及用于形成互连结构的一个或多个方法和由此形成的结构，互连结构诸如包括导线和导电通孔的双镶嵌互连结构。在一些实施例中，穿过半导体衬底上方的一个或多个介电层形成互连开口。互连开口具有通孔开口和位于通孔开口上方的沟槽。在通孔...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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