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本发明涉及一种内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法，它包括N型衬底、漏极金属、N型外延层、第一屏蔽栅氧化层、屏蔽栅P型多晶硅、第二屏蔽栅氧化层、P型多晶硅、N型多晶硅、控制栅多晶硅、P型体区、源极N+型掺杂区、背栅P+型掺杂区、绝缘...
该专利属于江苏应能微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏应能微电子股份有限公司授权不得商用。

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