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提供了相对于存在的低k介电层选择性地蚀刻硬掩模层和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的组合物和方法。更具体地，本发明涉及一种相对于低k介电层选择性地蚀刻氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的组合物和方法。可能存在于微电子装置上的其它材料不应被所述组合物基...
该专利属于恩特格里斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩特格里斯公司授权不得商用。

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