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本发明为一种减小光刻沟槽线宽极限的方法，属于半导体制备领域，克服了现有的光刻机线宽的限制，可替代采用更高精度的光刻机获得沟槽的方法，采用技术方案如下：步骤1，在半导体衬底表面形成下包层；步骤2，在所述下包层表面涂覆光刻胶，采用光刻工艺在光刻...
该专利属于杭州芯傲光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州芯傲光电有限公司授权不得商用。

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