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本公开描述了具有铁电存储器的半导体器件，该铁电存储器具有改进的循环后保留(RAC)存储器窗口(MW)性能。该半导体器件包括在衬底上的互连结构、在互连结构上的第一电极、在第一电极上的铁电层以及在铁电层上的第二电极。第一电极包括具有大于金属浓度...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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