温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及使用沟道高度和间隔调制的高电压（HV）和低电压（LV）晶体管结构的共同集成。一种集成电路结构包括第一非平面半导体器件和第二非平面半导体器件。第一非平面半导体器件包括第一主体、至少部分地环绕第一主体的第一栅极结构、以及第一源极区域和...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。